Редакция сайта ТАСС
ТОМСК, 15 января. /ТАСС/. Ученые разработали новый способ создания медных композитов, который позволит повысить надежность компьютерных чипов. Об этом ТАСС сообщили в Минобрнауки РФ.
Медные сплавы хорошо проводят тепло и электричество, их используют в электронике и теплоотводах. Чтобы улучшить их свойства, к меди добавляют твердые карбиды, которые повышают прочность без потери электропроводности. Но существующие способы создания таких композитов имеют недостатки, из-за которых их сложно широко применять в промышленности.
"Ученые Томского политехнического университета совместно с коллегами из Китая предложили новый способ синтеза металлических композитов на основе меди, армированных твердыми карбидами. Технология политехников позволяет контролировать форму, размер и распределение карбидов внутри меди
Результаты показали, что новые композиты в сравнении с аналогами и чистой медью обладают улучшенными характеристиками: повысились показатели плотности, твердости и теплопроводности. Полученные материалы подходят для изготовления радиаторов и оснований для высокопроизводительных и миниатюрных электронных устройств, а также компьютерных чипов. Применение таких современных систем охлаждения позволит избежать отказов, вызванных перегревом и механической деформацией оборудования.
"Главная проблема аналогичных методов получения металломатричных композитов на основе меди - высокая пористость, которая снижает свойства готовых изделий. Предложенная технология с возможностью in situ "совмещения" компонентов непосредственно в зоне дугового разряда позволяет обеспечить более надежное, плотное и однородное соединение карбида с медной матрицей, что позволяет улучшить механические и тепловые характеристики готовых металломатричных композитов", - отметил один из авторов исследования, доцент отделения электроэнергетики и электротехники ТПУ Дмитрий Никитин.
В исследовании участвовали ученые из России и Китая. Исследование поддержано грантом Российского научного фонда. Результаты работы ученых опубликованы в журнале C.
Комментарии