ТОМСК, 29 июля. /ТАСС/. Диоды на основе оксида галлия, который является основой полупроводниковых приборов нового поколения, разработали ученые Томского государственного университета (ТГУ). Лабораторные образцы успешно прошли первые испытания, сообщили ТАСС в пресс-службе вуза.
По словам автора проекта, аспиранта радиофизического факультета ТГУ, сотрудника лаборатории микроэлектроники мультиспектральной квантовой интроскопии Центра "ПТМ" ТГУ Никиты Яковлева, оксид галлия представляет собой четвертое поколение полупроводников, которые обладают устойчивостью к высокому напряжению, низким расходом энергии и меньшим размером. Лидером в их разработке сейчас является Китай, но в России подобные исследования тоже проводятся. РФ нацелена на технологическую независимость, потому государство активно поддерживает разработки, связанные с развитием компонентной базы.
"В рамках проекта "Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3", поддержанного Фондом содействия инновациям, Никита Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев разработали диоды с пробивным напряжением более 1 000 вольт. В 2025 году тестирование полупроводниковых приборов были проведены на базе лаборатории металлооксидных полупроводников Центра "Перспективные технологии в микроэлектронике" ТГУ
По словам ученых, потенциальная область применения таких диодов очень широкая. Они могут быть использованы для производства энергоэффективных зарядных устройств, высокомощных блоков питания, схем управления электродвигателями автомобилей и в другой силовой электронике.
Исследования проводятся благодаря конкурсу "Умник-электроника".
Комментарии